Taiwan Semiconductor Corporation - RS3BHM6G

KEY Part #: K6439716

RS3BHM6G ราคา (USD) [874440ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.04230

ส่วนจำนวน:
RS3BHM6G
ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS3BHM6G electronic components. RS3BHM6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS3BHM6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS3BHM6G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : RS3BHM6G
ผู้ผลิต : Taiwan Semiconductor Corporation
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
ชุด : Automotive, AEC-Q101
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 100V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 3A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.3V @ 3A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 150ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 100V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-214AB, SMC
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-214AB (SMC)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BYG22D-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 2A DO214AC. Rectifiers 2A,200V,25nS UF Fast Avalanche,SMD

  • BYG22B-E3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 100V 2A DO214AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • BYG10G-M3/TR3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A. Rectifiers 1.5A,400V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG10J-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD

  • BYG10M-M3/TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A. Rectifiers 1.5A,1000V VGSC-STD Avalanche SMD