Vishay Siliconix - SI5920DC-T1-GE3

KEY Part #: K6524082

[3950ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SI5920DC-T1-GE3
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix SI5920DC-T1-GE3 electronic components. SI5920DC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5920DC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5920DC-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SI5920DC-T1-GE3
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
    ชุด : TrenchFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
    คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 8V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4A
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 12nC @ 5V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 680pF @ 4V
    พลังงาน - สูงสุด : 3.12W
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : 8-SMD, Flat Lead
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 1206-8 ChipFET™

    คุณอาจสนใจด้วย