Vishay Siliconix - SI4774DY-T1-GE3

KEY Part #: K6415148

SI4774DY-T1-GE3 ราคา (USD) [12510ชิ้นสต็อก]

  • 2,500 pcs$0.09462

ส่วนจำนวน:
SI4774DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI4774DY-T1-GE3 electronic components. SI4774DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4774DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4774DY-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI4774DY-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
ชุด : SkyFET®, TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 16A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.3V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 14.3nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1025pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : Schottky Diode (Body)
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 5W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

คุณอาจสนใจด้วย
  • NDF0610

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 60V 180MA TO92.

  • ZVP4105A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

  • ZVP2120A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN0540A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

  • BSS100

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 220MA TO92.

  • BSS110

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 50V 170MA TO92.