ส่วนจำนวน :
SIDC06D60E6X1SA3
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 600V 10A WAFER
สถานะส่วนหนึ่ง :
Discontinued at Digi-Key
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
10A (DC)
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.25V @ 10A
ความเร็ว :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
-
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
27µA @ 600V
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
Sawn on foil
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-55°C ~ 150°C