STMicroelectronics - STD35NF06LT4

KEY Part #: K6419581

STD35NF06LT4 ราคา (USD) [119598ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.30927
  • 2,500 pcs$0.27530

ส่วนจำนวน:
STD35NF06LT4
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in STMicroelectronics STD35NF06LT4 electronic components. STD35NF06LT4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD35NF06LT4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STD35NF06LT4 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : STD35NF06LT4
ผู้ผลิต : STMicroelectronics
ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
ชุด : STripFET™ II
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 35A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 33nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±16V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1700pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 80W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DPAK
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

คุณอาจสนใจด้วย