NXP USA Inc. - PHD37N06LT,118

KEY Part #: K6400146

[3498ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    PHD37N06LT,118
    ผู้ผลิต:
    NXP USA Inc.
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 55V 37A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in NXP USA Inc. PHD37N06LT,118 electronic components. PHD37N06LT,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHD37N06LT,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHD37N06LT,118 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : PHD37N06LT,118
    ผู้ผลิต : NXP USA Inc.
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 55V 37A DPAK
    ชุด : TrenchMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 55V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 37A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 17A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 22.5nC @ 5V
    Vgs (สูงสุด) : ±13V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1400pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 100W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DPAK
    แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    คุณอาจสนใจด้วย
    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • TN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3.

    • IRFIZ48GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

    • IRLI630GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP.

    • PMG370XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP.

    • PMN35EN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP.