Toshiba Semiconductor and Storage - TK9A55DA(STA4,Q,M)

KEY Part #: K6418279

TK9A55DA(STA4,Q,M) ราคา (USD) [57375ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.75340
  • 50 pcs$0.74965

ส่วนจำนวน:
TK9A55DA(STA4,Q,M)
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK9A55DA(STA4,Q,M) electronic components. TK9A55DA(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK9A55DA(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK9A55DA(STA4,Q,M) คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TK9A55DA(STA4,Q,M)
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET N-CH 550V 8.5A TO-220SIS
ชุด : π-MOSVII
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 550V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 8.5A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 860 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1050pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 40W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220SIS
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack

คุณอาจสนใจด้วย