ON Semiconductor - SBR835LT4G-VF01

KEY Part #: K6429238

SBR835LT4G-VF01 ราคา (USD) [254091ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.15361
  • 2,500 pcs$0.15284

ส่วนจำนวน:
SBR835LT4G-VF01
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers DPAK 2W SMT RECT PBF
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor SBR835LT4G-VF01 electronic components. SBR835LT4G-VF01 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SBR835LT4G-VF01, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SBR835LT4G-VF01 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SBR835LT4G-VF01
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
ชุด : SWITCHMODE™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 35V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 8A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 510mV @ 8A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1.4mA @ 35V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DPAK
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • DB3X501K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 50V 200MA MINI3.

  • DB3X207K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 20V 1A MINI3.

  • DA3X108K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 300V 100MA MINI3.

  • MBR1090HC0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 90V 10A TO220AC.

  • MBR1045 C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 45V 10A TO220AC.

  • MBR1035HC0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 35V 10A TO220AC.