IXYS - IXTB30N100L

KEY Part #: K6400828

IXTB30N100L ราคา (USD) [2171ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$22.06054
  • 25 pcs$21.95078

ส่วนจำนวน:
IXTB30N100L
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTB30N100L electronic components. IXTB30N100L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTB30N100L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTB30N100L คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTB30N100L
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1000V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 30A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 20V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 500mA, 20V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 545nC @ 20V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 13200pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 800W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PLUS264™
แพ็คเกจ / เคส : TO-264-3, TO-264AA

คุณอาจสนใจด้วย
  • IRLR2905ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY1R4N60P TRL

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

  • 2SK3045

    Panasonic Electronic Components

    MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D.

  • IPB04N03LA

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

  • IPB04N03LAT

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

  • SPB02N60S5ATMA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263.