Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6N37CTD(TPL3)

KEY Part #: K6523496

[4146ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SSM6N37CTD(TPL3)
    ผู้ผลิต:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N37CTD(TPL3) electronic components. SSM6N37CTD(TPL3) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6N37CTD(TPL3), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM6N37CTD(TPL3) คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SSM6N37CTD(TPL3)
    ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
    ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 20V 0.25A CST6D
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
    คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 250mA
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 12pF @ 10V
    พลังงาน - สูงสุด : 140mW
    อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : 6-SMD, Flat Leads
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : CST6D

    คุณอาจสนใจด้วย