BYM36E-TAP ราคา (USD) [247410ชิ้นสต็อก]
- 1 pcs$0.15025
- 12,500 pcs$0.14950
- ส่วนจำนวน:
- BYM36E-TAP
- ผู้ผลิต:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- คำอธิบายโดยละเอียด:
- DIODE AVALANCHE 1KV 2.9A SOD64. Rectifiers 1000 Volt 2.9 Amp 65 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- มีสินค้า
- อายุการเก็บรักษา:
- หนึ่งปี
- ชิปจาก:
- ฮ่องกง
- เป็นไปตามมาตรฐาน:
- วิธีการชำระเงิน:
-
- วิธีการจัดส่ง:
- หมวดหมู่ครอบครัว:
- KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
- ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM36E-TAP electronic components. BYM36E-TAP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM36E-TAP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYM36E-TAP คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ส่วนจำนวน :
BYM36E-TAP
ผู้ผลิต :
Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ :
DIODE AVALANCHE 1KV 2.9A SOD64
ชุด :
-
สถานะส่วนหนึ่ง :
Active
ประเภทไดโอด :
Avalanche
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
1000V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
2.9A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.78V @ 3A
ความเร็ว :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
150ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
5µA @ 1000V
ความจุ @ Vr, F :
-
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
SOD-64, Axial
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SOD-64
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-55°C ~ 175°C
ข่าวล่าสุด
คุณอาจสนใจด้วย
-
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
-
BYM11-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0A 150ns Glass Passivated
-
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
อะไหล่ร้อน
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08