Toshiba Semiconductor and Storage - TK13A60D(STA4,Q,M)

KEY Part #: K6402701

TK13A60D(STA4,Q,M) ราคา (USD) [31595ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.43668
  • 10 pcs$1.28244
  • 100 pcs$0.99750
  • 500 pcs$0.80773
  • 1,000 pcs$0.68122

ส่วนจำนวน:
TK13A60D(STA4,Q,M)
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK13A60D(STA4,Q,M) electronic components. TK13A60D(STA4,Q,M) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK13A60D(STA4,Q,M), Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK13A60D(STA4,Q,M) คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TK13A60D(STA4,Q,M)
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
ชุด : π-MOSVII
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 13A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2300pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 50W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220SIS
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack

คุณอาจสนใจด้วย
  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • DN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

  • GP1M016A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

  • GP1M008A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

  • GP1M007A065CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

  • GP1M003A090C

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.