ส่วนจำนวน :
DMP1011UCB9-7
ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
8V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
10A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
10.5nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1060pF @ 4V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
890mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
U-WLB1515-9
แพ็คเกจ / เคส :
9-UFBGA, WLBGA