Microsemi Corporation - APT100M50J

KEY Part #: K6394086

APT100M50J ราคา (USD) [2186ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$21.18208
  • 10 pcs$19.80885
  • 25 pcs$18.32036
  • 100 pcs$17.17541
  • 250 pcs$16.03038

ส่วนจำนวน:
APT100M50J
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation APT100M50J electronic components. APT100M50J can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT100M50J, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT100M50J คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : APT100M50J
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 500V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 103A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 38 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 620nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 24600pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 960W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-227
แพ็คเกจ / เคส : SOT-227-4, miniBLOC

คุณอาจสนใจด้วย
  • TP0606N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TP0606N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3.

  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.