Infineon Technologies - IRF7473PBF

KEY Part #: K6411516

IRF7473PBF ราคา (USD) [13764ชิ้นสต็อก]

  • 95 pcs$0.55462

ส่วนจำนวน:
IRF7473PBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRF7473PBF electronic components. IRF7473PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7473PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7473PBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRF7473PBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Discontinued at Digi-Key
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6.9A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 61nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3180pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

คุณอาจสนใจด้วย