Diodes Incorporated - DMNH3010LK3-13

KEY Part #: K6403316

DMNH3010LK3-13 ราคา (USD) [248099ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.14908
  • 2,500 pcs$0.13247

ส่วนจำนวน:
DMNH3010LK3-13
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET NCH 30V 15A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMNH3010LK3-13 electronic components. DMNH3010LK3-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMNH3010LK3-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMNH3010LK3-13 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMNH3010LK3-13
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET NCH 30V 15A TO252
ชุด : Automotive, AEC-Q101
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 15A (Ta), 55A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2075pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-252-4L
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

คุณอาจสนใจด้วย
  • RFD12N06RLESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK.

  • FQD12N20LTM-F085P

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 200V 280 MOHM.

  • FDD3706

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 14.7A D-PAK.

  • FDD7N25LZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK-3.

  • FCD5N60TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FQD5P10TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK.