Microsemi Corporation - APT4M120K

KEY Part #: K6408965

[445ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    APT4M120K
    ผู้ผลิต:
    Microsemi Corporation
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 1200V 5A TO220.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Microsemi Corporation APT4M120K electronic components. APT4M120K can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT4M120K, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT4M120K คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : APT4M120K
    ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 1200V 5A TO220
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1200V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 2A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 43nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1385pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 225W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220 [K]
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • VN2222LLRLRA

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

    • IXCY01N90E

      IXYS

      MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252.

    • FDD6N20TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 200V 4.5A D-PAK.

    • FDD8444L

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

    • HUFA76609D3ST

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 100V 10A DPAK.

    • FDD6N25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK.