ส่วนจำนวน :
IPI120N06S4H1AKSA2
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N-CH TO262-3
ชุด :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
120A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 200µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
270nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
21900pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
250W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-TO262-3-1
แพ็คเกจ / เคส :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA