ลักษณะ :
MOSFET N-CH 200V 60A TO-263
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
60A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
40 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
73nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
4530pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
500W (Tc)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-263 (IXTA)
แพ็คเกจ / เคส :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB