Global Power Technologies Group - GP2M002A060HG

KEY Part #: K6412442

[13444ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    GP2M002A060HG
    ผู้ผลิต:
    Global Power Technologies Group
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 600V 2A TO220.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Global Power Technologies Group GP2M002A060HG electronic components. GP2M002A060HG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP2M002A060HG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP2M002A060HG คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : GP2M002A060HG
    ผู้ผลิต : Global Power Technologies Group
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 2A TO220
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 2A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 4 Ohm @ 1A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 9nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 360pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 52.1W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • IRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRFR2307Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR2607Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR1010Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • GP2M002A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

    • IRFR4104TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.