Nexperia USA Inc. - PSMN4R8-100PSEQ

KEY Part #: K6408583

PSMN4R8-100PSEQ ราคา (USD) [22373ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.84213
  • 10 pcs$1.64381
  • 100 pcs$1.34775
  • 500 pcs$1.03539
  • 1,000 pcs$0.87322

ส่วนจำนวน:
PSMN4R8-100PSEQ
ผู้ผลิต:
Nexperia USA Inc.
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 100V TO220AB.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100PSEQ electronic components. PSMN4R8-100PSEQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN4R8-100PSEQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN4R8-100PSEQ คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : PSMN4R8-100PSEQ
ผู้ผลิต : Nexperia USA Inc.
ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V TO220AB
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 120A (Tj)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 278nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 14400pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 405W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AB
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

คุณอาจสนใจด้วย