ON Semiconductor - FDI9406-F085

KEY Part #: K6417663

FDI9406-F085 ราคา (USD) [38165ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.02449

ส่วนจำนวน:
FDI9406-F085
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - SCRs and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor FDI9406-F085 electronic components. FDI9406-F085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDI9406-F085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDI9406-F085 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FDI9406-F085
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 40V 110A TO262AB
ชุด : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 40V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 110A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 138nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 7710pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 176W (Tj)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : I2PAK (TO-262)
แพ็คเกจ / เคส : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

คุณอาจสนใจด้วย