Renesas Electronics America - N0412N-S19-AY

KEY Part #: K6393753

N0412N-S19-AY ราคา (USD) [124994ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.73586

ส่วนจำนวน:
N0412N-S19-AY
ผู้ผลิต:
Renesas Electronics America
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 40V 100A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Renesas Electronics America N0412N-S19-AY electronic components. N0412N-S19-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for N0412N-S19-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

N0412N-S19-AY คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : N0412N-S19-AY
ผู้ผลิต : Renesas Electronics America
ลักษณะ : MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 40V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 100A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 100nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 5550pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.5W (Ta), 119W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • DMP2035UVTQ-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.

  • FDD770N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 150V 18A DPAK.

  • FDD5670

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 52A D-PAK.

  • FDD24AN06LA0-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 40A TO-252.

  • IRFIBC40G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP.