ผู้ผลิต :
Rohm Semiconductor
ลักษณะ :
MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
12V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
2.5A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
16nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
2000pF @ 6V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
320mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TUMT6
แพ็คเกจ / เคส :
6-SMD, Flat Leads