ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
ประเภท FET :
N and P-Channel
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
1.07A, 845mA
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
450 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
0.74nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
60.67pF @ 10V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SOT-363