Microsemi Corporation - APTGT300A170G

KEY Part #: K6532538

APTGT300A170G ราคา (USD) [349ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$132.57838
  • 10 pcs$126.17743
  • 25 pcs$121.60597

ส่วนจำนวน:
APTGT300A170G
ผู้ผลิต:
Microsemi Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microsemi Corporation APTGT300A170G electronic components. APTGT300A170G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGT300A170G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT300A170G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : APTGT300A170G
ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
ลักษณะ : IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP6
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : Trench Field Stop
องค์ประกอบ : Half Bridge
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1700V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 400A
พลังงาน - สูงสุด : 1660W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 300A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 750µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 26.5nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : No
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : SP6
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SP6

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.