NXP USA Inc. - PMT200EN,115

KEY Part #: K6400003

[3548ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    PMT200EN,115
    ผู้ผลิต:
    NXP USA Inc.
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in NXP USA Inc. PMT200EN,115 electronic components. PMT200EN,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMT200EN,115, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMT200EN,115 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : PMT200EN,115
    ผู้ผลิต : NXP USA Inc.
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 1.8A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 235 mOhm @ 1.5A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 10nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 475pF @ 80V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 800mW (Ta), 8.3W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-223
    แพ็คเกจ / เคส : TO-261-4, TO-261AA

    คุณอาจสนใจด้วย
    • VN0550N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3.

    • DN2535N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.

    • VP2206N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

    • VN0106N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • IRFI4410ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 43A TO-220FP.