Renesas Electronics America - RJK6032DPD-00#J2

KEY Part #: K6420267

RJK6032DPD-00#J2 ราคา (USD) [176721ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.23138
  • 3,000 pcs$0.23023

ส่วนจำนวน:
RJK6032DPD-00#J2
ผู้ผลิต:
Renesas Electronics America
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 3A MP3A.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Renesas Electronics America RJK6032DPD-00#J2 electronic components. RJK6032DPD-00#J2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RJK6032DPD-00#J2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RJK6032DPD-00#J2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : RJK6032DPD-00#J2
ผู้ผลิต : Renesas Electronics America
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 3A MP3A
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Last Time Buy
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 9nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 285pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 40.3W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : MP-3A
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

คุณอาจสนใจด้วย