Diodes Incorporated - DMN53D0L-7

KEY Part #: K6404940

DMN53D0L-7 ราคา (USD) [1297647ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.02850
  • 3,000 pcs$0.02642

ส่วนจำนวน:
DMN53D0L-7
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMN53D0L-7 electronic components. DMN53D0L-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN53D0L-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN53D0L-7 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMN53D0L-7
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET N-CH 50V 0.5A SOT23
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 50V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 500mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 0.6nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 46pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 370mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-23
แพ็คเกจ / เคส : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

คุณอาจสนใจด้วย