Infineon Technologies - IPSA70R1K2P7SAKMA1

KEY Part #: K6398638

IPSA70R1K2P7SAKMA1 ราคา (USD) [135537ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.27289

ส่วนจำนวน:
IPSA70R1K2P7SAKMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPSA70R1K2P7SAKMA1 electronic components. IPSA70R1K2P7SAKMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPSA70R1K2P7SAKMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPSA70R1K2P7SAKMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPSA70R1K2P7SAKMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
ชุด : CoolMOS™ P7
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 700V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4.5A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 40µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 4.8nC @ 400V
Vgs (สูงสุด) : ±16V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 174pF @ 400V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 25W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO251-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

คุณอาจสนใจด้วย
  • VN2460N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3.

  • TP2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.086A TO92-3.

  • VN0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3.

  • TP2635N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3.

  • TP2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3.

  • VP0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3.