Rohm Semiconductor - RQ6E055BNTCR

KEY Part #: K6421285

RQ6E055BNTCR ราคา (USD) [421931ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.08766
  • 3,000 pcs$0.07404

ส่วนจำนวน:
RQ6E055BNTCR
ผู้ผลิต:
Rohm Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Rohm Semiconductor RQ6E055BNTCR electronic components. RQ6E055BNTCR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RQ6E055BNTCR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ6E055BNTCR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : RQ6E055BNTCR
ผู้ผลิต : Rohm Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 5.5A TSMT
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5.5A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 8.6nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 355pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.25W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TSMT6 (SC-95)
แพ็คเกจ / เคส : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

คุณอาจสนใจด้วย