ON Semiconductor - FDN338P_G

KEY Part #: K6403878

[2205ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    FDN338P_G
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    INTEGRATED CIRCUIT.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ไดโอด - RF ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor FDN338P_G electronic components. FDN338P_G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN338P_G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDN338P_G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : FDN338P_G
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : INTEGRATED CIRCUIT
    ชุด : PowerTrench®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : P-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 1.6A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 1.6A, 4.5V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.5V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
    Vgs (สูงสุด) : ±8V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 451pF @ 10V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 500mW (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SuperSOT-3
    แพ็คเกจ / เคส : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • AUIRFR8405

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8403

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • AUIRFR8401

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 100A DPAK.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • RJL5012DPP-M0#T2

      Renesas Electronics America

      MOSFET N-CH 500V 12A TO220.