ส่วนจำนวน :
TSM850N06CX RFG
ผู้ผลิต :
Taiwan Semiconductor Corporation
ลักษณะ :
MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
3A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
85 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
9.5nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
529pF @ 30V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
1.7W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SOT-23
แพ็คเกจ / เคส :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3