Microchip Technology - DN1509K1-G

KEY Part #: K6392745

DN1509K1-G ราคา (USD) [209210ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.18113
  • 3,000 pcs$0.18023

ส่วนจำนวน:
DN1509K1-G
ผู้ผลิต:
Microchip Technology
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microchip Technology DN1509K1-G electronic components. DN1509K1-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DN1509K1-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DN1509K1-G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DN1509K1-G
ผู้ผลิต : Microchip Technology
ลักษณะ : MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 90V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 200mA (Tj)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 200mA, 0V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 150pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : Depletion Mode
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 490mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-23-5
แพ็คเกจ / เคส : SC-74A, SOT-753
คุณอาจสนใจด้วย