Rohm Semiconductor - RZM001P02T2L

KEY Part #: K6420520

RZM001P02T2L ราคา (USD) [2922544ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.01399
  • 8,000 pcs$0.01392

ส่วนจำนวน:
RZM001P02T2L
ผู้ผลิต:
Rohm Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Rohm Semiconductor RZM001P02T2L electronic components. RZM001P02T2L can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RZM001P02T2L, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RZM001P02T2L คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : RZM001P02T2L
ผู้ผลิต : Rohm Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 100mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 100µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : ±10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 15pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 150mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : VMT3
แพ็คเกจ / เคส : SOT-723

คุณอาจสนใจด้วย