ส่วนจำนวน :
DMP6110SSD-13
ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
ประเภท FET :
2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
3.3A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
105 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
17.2nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
969pF @ 30V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SO