Microsemi Corporation - JANTXV1N6630US

KEY Part #: K6446828

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6630US electronic components. JANTXV1N6630US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6630US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : JANTXV1N6630US

ผู้ผลิต : Microsemi Corporation

ลักษณะ : DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

ชุด : Military, MIL-PRF-19500/590

สถานะส่วนหนึ่ง : Active

ประเภทไดโอด : Standard

แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 1000V

ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1.4A

แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.4V @ 1.4A

ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 50ns

ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 2µA @ 1000V

ความจุ @ Vr, F : -

ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount

แพ็คเกจ / เคส : SQ-MELF, E

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-5B

อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย

SRP600J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 6A P600.
GPP60G-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 6A P600.
GPP60B-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.
BYM07-200HE3/83

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213.
SBLB1030HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB.
SBLB10L25HE3/81

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB.

อะไหล่ร้อน