Toshiba Semiconductor and Storage - TK20V60W,LVQ

KEY Part #: K6417591

TK20V60W,LVQ ราคา (USD) [35437ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.22142
  • 2,500 pcs$1.21534

ส่วนจำนวน:
TK20V60W,LVQ
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N CH 600V 20A 5DFN.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK20V60W,LVQ electronic components. TK20V60W,LVQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK20V60W,LVQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK20V60W,LVQ คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TK20V60W,LVQ
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET N CH 600V 20A 5DFN
ชุด : DTMOSIV
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 20A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.7V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1680pF @ 300V
คุณสมบัติของ FET : Super Junction
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 156W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 4-DFN-EP (8x8)
แพ็คเกจ / เคส : 4-VSFN Exposed Pad

คุณอาจสนใจด้วย