ส่วนจำนวน :
IPD60R380E6BTMA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
สถานะส่วนหนึ่ง :
Discontinued at Digi-Key
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
10.6A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
380 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3.5V @ 300µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
32nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
700pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET :
Super Junction
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
83W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 155°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PG-TO252-3
แพ็คเกจ / เคส :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63