Infineon Technologies - IPD60R380E6BTMA1

KEY Part #: K6401718

[2953ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IPD60R380E6BTMA1
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET NCH 600V 10.6A TO252.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IPD60R380E6BTMA1 electronic components. IPD60R380E6BTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD60R380E6BTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD60R380E6BTMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IPD60R380E6BTMA1
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
    ชุด : CoolMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Discontinued at Digi-Key
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 10.6A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 3.8A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 300µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 32nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 700pF @ 100V
    คุณสมบัติของ FET : Super Junction
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 83W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 155°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO252-3
    แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    คุณอาจสนใจด้วย
    • ZVN4310A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 0.9A TO92-3.

    • VN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3.

    • TN5325N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

    • IRFI4228PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

    • SI1471DH-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6.

    • PMN70XPEAX

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.