STMicroelectronics - STI175N4F6AG

KEY Part #: K6396996

STI175N4F6AG ราคา (USD) [90331ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.43286
  • 1,000 pcs$0.38678

ส่วนจำนวน:
STI175N4F6AG
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - RF and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in STMicroelectronics STI175N4F6AG electronic components. STI175N4F6AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STI175N4F6AG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STI175N4F6AG คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : STI175N4F6AG
ผู้ผลิต : STMicroelectronics
ลักษณะ : MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
ชุด : STripFET™ F6
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 40V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 120A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2.7 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 7735pF @ 20V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 190W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : I2PAK (TO-262)
แพ็คเกจ / เคส : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

คุณอาจสนใจด้วย
  • IRFR220NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 200V 5A DPAK.

  • IRLR3410PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • FDD390N15ALZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3.

  • TK56A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 56A TO-220.

  • STT6N3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6.

  • STT4P3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6.