IXYS - IXTQ32N65X

KEY Part #: K6394616

IXTQ32N65X ราคา (USD) [20374ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$2.23622
  • 50 pcs$2.22509

ส่วนจำนวน:
IXTQ32N65X
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTQ32N65X electronic components. IXTQ32N65X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTQ32N65X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ32N65X คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTQ32N65X
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 650V 32A TO-3P
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 650V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 32A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 135 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2205pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 500W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-3P
แพ็คเกจ / เคส : TO-3P-3, SC-65-3