Vishay Siliconix - SIHD14N60E-GE3

KEY Part #: K6404524

SIHD14N60E-GE3 ราคา (USD) [35968ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.05779
  • 10 pcs$0.95410
  • 100 pcs$0.76680
  • 500 pcs$0.59639
  • 1,000 pcs$0.49415

ส่วนจำนวน:
SIHD14N60E-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SIHD14N60E-GE3 electronic components. SIHD14N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHD14N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHD14N60E-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SIHD14N60E-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK
ชุด : E
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 13A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 309 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 64nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1205pF @ 100V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 147W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-PAK (TO-252AA)
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

คุณอาจสนใจด้วย
  • TN0702N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3.

  • AUIRLS3034-7P

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7P.

  • AUIRLR3636

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 99A DPAK.

  • AUIRLR3915

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 61A DPAK.

  • AUIRLR3114Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.

  • AUIRLR3110Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 63A DPAK.