Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GB400TH120U

KEY Part #: K6533225

VS-GB400TH120U ราคา (USD) [347ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$133.12944
  • 12 pcs$126.79014

ส่วนจำนวน:
VS-GB400TH120U
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB400TH120U electronic components. VS-GB400TH120U can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GB400TH120U, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-GB400TH120U คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : VS-GB400TH120U
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : IGBT 1200V 660A 2660W INT-A-PAK
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : NPT
องค์ประกอบ : Half Bridge
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 660A
พลังงาน - สูงสุด : 2660W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 3.6V @ 15V, 400A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 5mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 33.7nF @ 30V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : No
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : Double INT-A-PAK (3 + 4)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Double INT-A-PAK

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-ETL015Y120H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 22A 89W EMIPAK-2B. Rectifiers 15A Dbl Interleaved Boost Converter

  • VS-ETF150Y65U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • VS-ETF075Y60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B.

  • APT100GLQ65JU2

    Microsemi Corporation

    POWER MODULE - IGBT.

  • APT40GL120JU2

    Microsemi Corporation

    MOD IGBT 1200V 65A SOT-227.

  • APT85GR120JD60

    Microsemi Corporation

    IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP.