ON Semiconductor - NTMS4937NR2G

KEY Part #: K6392897

NTMS4937NR2G ราคา (USD) [134951ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.27545
  • 2,500 pcs$0.27408

ส่วนจำนวน:
NTMS4937NR2G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor NTMS4937NR2G electronic components. NTMS4937NR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMS4937NR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMS4937NR2G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : NTMS4937NR2G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 8.6A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 38.5nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2563pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 810mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SOIC
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

คุณอาจสนใจด้วย