Vishay Siliconix - SISS32DN-T1-GE3

KEY Part #: K6405394

SISS32DN-T1-GE3 ราคา (USD) [152066ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.24323

ส่วนจำนวน:
SISS32DN-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SISS32DN-T1-GE3 electronic components. SISS32DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SISS32DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SISS32DN-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SISS32DN-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK 1212
ชุด : TrenchFET® Gen IV
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 80V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 17.4A (Ta), 63A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 7.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.8V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1930pF @ 40V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 5W (Ta), 65.7W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® 1212-8S
แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® 1212-8S

คุณอาจสนใจด้วย