IXYS - IXTH72N20

KEY Part #: K6416095

IXTH72N20 ราคา (USD) [12068ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$3.94686
  • 30 pcs$3.92722

ส่วนจำนวน:
IXTH72N20
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 200V 72A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTH72N20 electronic components. IXTH72N20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH72N20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH72N20 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTH72N20
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 200V 72A TO-247
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 72A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4400pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 400W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247 (IXTH)
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย