Infineon Technologies - IPG20N10S436AATMA1

KEY Part #: K6525240

IPG20N10S436AATMA1 ราคา (USD) [145216ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.25471
  • 5,000 pcs$0.20772

ส่วนจำนวน:
IPG20N10S436AATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N10S436AATMA1 electronic components. IPG20N10S436AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N10S436AATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N10S436AATMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPG20N10S436AATMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 8TDSON
ชุด : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 20A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.5V @ 16µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 15nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 990pF @ 25V
พลังงาน - สูงสุด : 43W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerVDFN
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TDSON-8-10

คุณอาจสนใจด้วย
  • SI1926DL-T1-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC-70-6.

  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6562CDQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP.

  • SP8J65TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC.

  • SQ4917EY-T1_GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2 P-CHANNEL 60V 8A 8SO.

  • SP8K2TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC.