ส่วนจำนวน :
DMTH6010SK3-13
ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 60V 16.3A
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
16.3A (Ta), 70A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
36.3nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1940pF @ 30V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
3.1W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-252
แพ็คเกจ / เคส :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63