ส่วนจำนวน :
IRF6785MTRPBF
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
3.4A (Ta), 19A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
5V @ 100µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
36nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1500pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
2.8W (Ta), 57W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
DIRECTFET™ MZ
แพ็คเกจ / เคส :
DirectFET™ Isometric MZ