ON Semiconductor - MMBF2201NT1G

KEY Part #: K6419497

MMBF2201NT1G ราคา (USD) [850193ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.04351
  • 3,000 pcs$0.04307

ส่วนจำนวน:
MMBF2201NT1G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor MMBF2201NT1G electronic components. MMBF2201NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMBF2201NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MMBF2201NT1G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : MMBF2201NT1G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET N-CH 20V 300MA SOT-323
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 300mA (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 300mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 45pF @ 5V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 150mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SC-70-3 (SOT323)
แพ็คเกจ / เคส : SC-70, SOT-323

คุณอาจสนใจด้วย